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技术说明
发布时间：2021-11-02 栏目行业：常见问题 浏览次数：
Q:技术说明
A:将电阻 (R1) 连接到该器件的输入时，输入电压仅通过 [器件的消耗电流] x [电阻值]来降低。
并且，当从检测状态变为释放状态时发生交叉传导电流*1，仅通过 [交叉传导电流] x [电阻值] 降低输入电压。如果输入电压降低大于检测器电压和释放电压之间的差值，则该器件将进入重新检测状态 。
当输入电阻值大并且VDD在释放电压附近稳定上升时，重复上述操作可能导致输出的发生。
如图A / B所示，将R1设置为100 kΩ或更低，并将0.1 µF以上的CIN连接到输入引脚和GND之间。
此外，使用这样的评估板，在实际使用条件下进行包括温度特性的评估。 可确保交叉传导电流没有问题。
*1)在CMOS输出类型中，包括OUT引脚的充电电流
*2)注意电容器的偏置依赖性
电压检测器（复位芯片）
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